登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

显示的结果

'ntdv20n06'

4结果

category.单MOSFET晶体管 (4)

所有品牌

对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	HTS代码	终端形式	参考标准	JESD-30代码	元素配置	操作模式	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	漏极-源极导通最大电阻	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	辐射硬化	RoHS状态	无铅
		NTDV20N06T4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		2 Weeks	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	3	SILICON	20A Ta	10V	1	1.88W Ta 60W Tj	27.1 ns	4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2014	e3	yes	CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 2 days ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)	8541.29.00.95	鸥翼		R-PSSO-G2	Single	增强型MOSFET	DRAIN	9.5 ns	N-Channel	SWITCHING	46m Ω @ 10A, 10V	1015pF @ 25V	30nC @ 10V	60.5ns	60V	±20V	37.1 ns	20A	20V	0.046Ohm	60A	60V	170 mJ	无	ROHS3 Compliant	无铅
		NTDV20N06LT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		22 Weeks	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	3	SILICON	20A Ta	5V	1	1.36W Ta 60W Tj	25 ns	2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)	8541.29.00.95	鸥翼	AEC-Q101	R-PSSO-G2	Single	增强型MOSFET	DRAIN	9.6 ns	N-Channel	SWITCHING	48m Ω @ 10A, 5V	990pF @ 25V	32nC @ 5V	98ns	60V	±15V	62 ns	20A	15V	0.048Ohm	60A	60V	128 mJ	无	ROHS3 Compliant	无铅
		NTDV20N06T4G-VF01	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		15 Weeks										e3	yes	ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)	1 (Unlimited)			Tin (Sn)																									符合RoHS标准
		NTDV20N06LT4G-VF01	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		22 Weeks												ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)																													符合RoHS标准