ON Semiconductor NTDV3055L104-1G

生命周期状态

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表面安装

NO

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta 48W Tj

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

已出版

2008

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

104m Ω @ 6A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±15V

连续放电电流(ID)

12A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

61 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅