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'ntf3055100t1'

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category.单MOSFET晶体管 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	终端	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	电压 - 额定直流	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	阈值电压	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	双电源电压	雪崩能量等级（Eas）	栅源电压	高度	长度	宽度	辐射硬化	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		NTF3055-100T1	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				表面贴装	表面贴装	TO-261-4, TO-261AA		4	SILICON	3A Ta	10V	1	1.3W Ta	21 ns	4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2007		e0		Obsolete	1 (Unlimited)	4		EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)	60V	DUAL	鸥翼	240	3A	30	R-PDSO-G4	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET	2.1W	DRAIN		N-Channel	SWITCHING	110m Ω @ 1.5A, 10V	455pF @ 25V	22nC @ 10V	14ns		±20V	13 ns	3A		20V	3A	0.11Ohm	60V	9A		74 mJ						not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTF3055-100T1G	Aptina	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
		NTF3055-100T1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		8 Weeks	Tin		表面贴装	TO-261-4, TO-261AA	YES	4	SILICON	3A Ta	10V	1	1.3W Ta	21 ns	4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006		e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	1 (Unlimited)	4	SMD/SMT	EAR99	110MOhm		60V	DUAL	鸥翼	260	3A	40				Single	增强型MOSFET	2.1W	DRAIN	9.4 ns	N-Channel	SWITCHING	110m Ω @ 1.5A, 10V	455pF @ 25V	22nC @ 10V	14ns		±20V	13 ns	3A	3V	20V	3A		60V	9A	60V		3 V	1.65mm	6.7mm	3.7mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
		NTF3055-100T1G-IRH1	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	TO-261-4, TO-261AA				3A Ta	10V	1.3W Ta			4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)		Automotive, AEC-Q101			活跃	1 (Unlimited)																				N-Channel		110m Ω @ 1.5A, 10V	455pF @ 25V	22nC @ 10V		60V	±20V																	Non-RoHS Compliant