ON Semiconductor NTF3055L175T1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Turn Off Delay Time

14.3 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

175m Ω @ 1A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 5V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

15.3 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

双电源电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

65 mJ

栅源电压

1.7 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅