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'ntf5p03t3'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

附加功能

电压 - 额定直流

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

极性/通道类型

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

场效应管特性

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTF5P03T3G

ON Semiconductor

3960 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

15 Weeks

表面贴装

TO-261-4, TO-261AA

YES

4

SILICON

3.7A Ta

4.5V 10V

1

1.56W Ta

23 ns

3V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2006

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

1 (Unlimited)

4

EAR99

100MOhm

Tin (Sn)

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

-30V

DUAL

鸥翼

260

-5.2A

40

Single

增强型MOSFET

3.13W

DRAIN

16 ns

P-Channel

SWITCHING

100m Ω @ 5.2A, 10V

950pF @ 25V

38nC @ 10V

45ns

30V

±20V

24 ns

5A

-1.75V

20V

3.7A

-30V

250 mJ

1.65mm

6.7mm

3.7mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

NTF5P03T3

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

SILICON

1

e0

no

Obsolete

3 (168 Hours)

4

锡铅

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

DUAL

鸥翼

240

30

4

R-PDSO-G4

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

P-CHANNEL

TO-261AA

3.7A

0.1Ohm

19A

30V

250 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Non-RoHS Compliant

NTF5P03T3

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-261-4, TO-261AA

YES

4

SOT-223 (TO-261)

4

SILICON

Bulk

NTF5P

3.7A (Ta)

4.5V, 10V

1.56W (Ta)

Obsolete

MINIATURE, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN

小概要

onsemi

PLASTIC/EPOXY

CASE 318E-04

30

无

NTF5P03T3

RECTANGULAR

Rochester Electronics LLC

1

活跃

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

5.21

TO-261AA

3.7 A

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

e0

无

锡铅

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

MOSFET (Metal Oxide)

DUAL

鸥翼

240

R-PDSO-G4

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

P-Channel

SWITCHING

38 nC @ 10 V

30 V

±20V

P-CHANNEL

TO-261AA

0.1 Ω

19 A

30 V

250 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

-

unknown