ON Semiconductor NTF5P03T3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-223 (TO-261)

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

NTF5P

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

1.56W (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

MINIATURE, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318E-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTF5P03T3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Drain Current-Max (ID)

3.7 A

Part Package Code

TO-261AA

Risk Rank

5.21

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-261AA

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-