ON Semiconductor NTF6P02T3

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-20 V

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

75 ns

Package Description

CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318E-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTF6P02T3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.44

Part Package Code

TO-261AA

Drain Current-Max (ID)

10 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-6 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

8.3 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

25 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-10 A

JEDEC-95代码

TO-261AA

栅极至源极电压(Vgs)

8 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

漏源击穿电压

-20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

8.3 W

漏源电阻

44 mΩ

无铅

含铅