ON Semiconductor NTGD3122CT1G
- 收藏
- 对比
NTGD3122CT1G
1807-NTGD3122CT1G
无类别的
Die
大陆
立即发货

NTGD3122CT1G datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
NTGD3122CT1G详情
ON Semiconductor NTGD3122CT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
表面安装
YES
供应商器件包装
Diesale
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of I/Os
32
Package
Bulk
Base Product Number
MAXQ305
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Data Converters
-
Product Status
Obsolete
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 318G-02
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NTGD3122CT1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.83
Part Package Code
TSOP
Drain Current-Max (ID)
2.1 A
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
MAXQ®
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
振荡器类型
Internal
速度
12MHz
内存大小
2K x 8
操作模式
增强型MOSFET
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
0.9V ~ 3.6V
核心处理器
-
周边设备
Brown-out Detect/Reset, Infrared, Power-Fail, POR, WDT
程序存储器类型
FLASH
芯尺寸
16-Bit
程序内存大小
80KB (80K x 8)
连接方式
SPI, UART/USART
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
EEPROM 大小
-
漏极-源极导通最大电阻
0.08 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTGD3122CT1G拓展信息







哦! 它是空的。