ON Semiconductor NTGS3446T1

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-23-6

安装类型

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Turn Off Delay Time

35 ns

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Number of Elements

1

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

5.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 5.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 4.5V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

漏源击穿电压

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

100 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅