ON Semiconductor NTHD4102PT1
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NTHD4102PT1
1807-NTHD4102PT1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Dual P-Channel ChipFET™ Power MOSFET -20V -4.1A 80mΩ, ChipFET, 3000-REEL
--最小包装量--
NTHD4102PT1详情
ON Semiconductor NTHD4102PT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Manufacturer Package Code
1206A-03
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
NTHD4102PT1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.2
Drain Current-Max (ID)
2.9 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn80Pb20)
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C8
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.8 A
漏极-源极导通最大电阻
0.08 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.1 W
NTHD4102PT1拓展信息
ON Semiconductor
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