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'nthd4401p'

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category.MOSFETs 晶体管阵列 (7)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	晶体管元件材料				操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	电压 - 额定直流	最大功率耗散	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	功率 - 最大	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	DS 击穿电压-最小值	场效应管技术	场效应管特性	反馈上限-最大值 (Crss)	RoHS状态	无铅
		NTHD4401PT1	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	8-SMD, Flat Lead		8		SILICON	2	33 ns		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	-20V	1.1W	C 弯管	240	not_compliant	-2.1A	30	NTHD4401P	8		不合格	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	1.1W		2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	155m Ω @ 2.1A, 4.5V	1.2V @ 250μA	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V	13ns	20V	13 ns	2.1A	12V		0.155Ohm	-20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	50 pF	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTHD4401PT1	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	8-SMD, Flat Lead	YES			SILICON	2.1A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e0	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		锡铅			C 弯管	240			30		8	R-XDSO-C8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		1.1W	2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	155m Ω @ 2.1A, 4.5V	1.2V @ 250μA	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V		20V				2.1A	0.155Ohm		20V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	50 pF	Non-RoHS Compliant
		NTHD4401PT3	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	8-SMD, Flat Lead		8		SILICON	2	33 ns		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99	Tin (Sn)	20V	1.1W	C 弯管			-3A		NTHD4401P	8			SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	1.1W		2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	155m Ω @ 2.1A, 4.5V	1.2V @ 250μA	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V	13ns		13 ns	2.1A	12V		0.155Ohm	-20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	50 pF	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTHD4401PT3G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LAST SHIPMENTS (Last Updated: 10 hours ago)	表面贴装	表面贴装	8-SMD, Flat Lead	8		SILICON	2	33 ns		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99	Tin (Sn)	-20V	1.1W	C 弯管			-2.1A		NTHD4401P	8			SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	1.1W		2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	155m Ω @ 2.1A, 4.5V	1.2V @ 250μA	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V	13ns	20V	13 ns	2.1A	12V		0.155Ohm	-20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	50 pF	符合RoHS标准	无铅
		NTHD4401PT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LAST SHIPMENTS (Last Updated: 8 hours ago)	表面贴装	表面贴装	8-SMD, Flat Lead	8		SILICON	2	33 ns		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99	Tin (Sn)	-20V	1.1W	C 弯管	260		-2.1A	40	NTHD4401P	8		不合格	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	1.1W		2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	155m Ω @ 2.1A, 4.5V	1.2V @ 250μA	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V	13ns	20V	13 ns	2.1A	12V		0.155Ohm	-20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	50 pF	符合RoHS标准	无铅
		NTHD4401PT1G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	8-SMD, Flat Lead	YES			SILICON	2.1A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e3	no	Obsolete	1 (Unlimited)	8		哑光锡			C 弯管	260			40		8	R-XDSO-C8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		1.1W	2 P-Channel (Dual)	SWITCHING	155m Ω @ 2.1A, 4.5V	1.2V @ 250μA	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V		20V				2.1A	0.155Ohm		20V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	50 pF	ROHS3 Compliant
		NTHD4401PT3G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-SMD, Flat Lead			ChipFET™		2.1A			-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)				Obsolete	1 (Unlimited)																		1.1W	2 P-Channel (Dual)		155mOhm @ 2.1A, 4.5V	1.2V @ 250μA	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V		20V									逻辑电平门		ROHS3 Compliant