ON Semiconductor NTHS5441T1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

ChipFET™

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

NTHS54

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.9A (Ta)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 1206A-03, CHIPFET-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Package Code

CASE 1206A-03

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTHS5441T1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

3.9 A

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-XDSO-C8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

46mOhm @ 3.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710 pF @ 5 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-