ON Semiconductor NTJD4105CT1

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 419B-02

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTJD4105CT1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.32

Part Package Code

SC-88

Drain Current-Max (ID)

0.63 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.63 A

漏极-源极导通最大电阻

0.375 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.55 W

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF