ON Semiconductor NTJS3151PT1

表面安装

YES

引脚数

6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

3.5 ns

RoHS

Non-Compliant

Voltage Rating (DC)

-12 V

Package Description

2 X 2 MM, CASE 419B-02, SC-88, SC-70-6, 6 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 419B-02

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTJS3151PT1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.33

Part Package Code

SC-70

Drain Current-Max (ID)

2.7 A

包装

卷带

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-2.7 A

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625 mW

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

1.5 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-3.3 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

漏源击穿电压

-12 V

输入电容

850 pF

DS 击穿电压-最小值

12 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.625 W

漏源电阻

133 mΩ

无铅

含铅