ON Semiconductor NTJS3157NT1
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NTJS3157NT1
1807-NTJS3157NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Single N-Channel Trench Power MOSFET 20V, 4.0A, 60mΩ, SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL
1最小包装量--
NTJS3157NT1详情
ON Semiconductor NTJS3157NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
2 X 2 MM, CASE 419B-02, SC-88, SC-70-6, 6 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
419B-02
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
NTJS3157NT1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.21
Part Package Code
SC-70
Drain Current-Max (ID)
3.2 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn80Pb20)
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.2 A
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
NTJS3157NT1拓展信息
ON Semiconductor
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