ON Semiconductor NTJS3157NT4
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NTJS3157NT4
1807-NTJS3157NT4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
1最小包装量--
NTJS3157NT4详情
ON Semiconductor NTJS3157NT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
3.2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
60m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
0.06Ohm
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NTJS3157NT4拓展信息
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