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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.118941
10
¥2.942397
100
¥2.775846
500
¥2.618725
1000
¥2.470497
ON Semiconductor NTLTD7900ZR2
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- 对比
NTLTD7900ZR2
1807-NTLTD7900ZR2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Power MOSFET 20V 9A 26 mOhm Dual N-Channel Micro8 Leadless, DFN* 3.3x3.3 (MICRO-8 LEADLESS), 3000-REEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTLTD7900ZR2详情
ON Semiconductor NTLTD7900ZR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
NTLTD79
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
LEADLESS, CASE 846C-01, MICRO-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
UNSPECIFIED
Manufacturer Package Code
CASE 846C-01
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NTLTD7900ZR2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.21
Drain Current-Max (ID)
6 A
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
有
端子表面处理
锡铅
附加功能
防静电
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-N8
资历状况
COMMERCIAL
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.026 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTLTD7900ZR2拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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