NTMFS4709NT3G
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ON Semiconductor NTMFS4709NT3G

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型号

NTMFS4709NT3G

utmel 编号

1807-NTMFS4709NT3G

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

11A, 30V, 0.0055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 5 X 6 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, CASE 488AA-01, DFN6, SOIC-8

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NTMFS4709NT3G ON Semiconductor 11A, 30V, 0.0055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 5 X 6 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, CASE 488AA-01, DFN6, SOIC-8

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库存:20001

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NTMFS4709NT3G详情

ON Semiconductor NTMFS4709NT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    5 X 6 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, CASE 488AA-01, DFN6, SOIC-8

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 488AA-01

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NTMFS4709NT3G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.82

  • Part Package Code

    DFN

  • Drain Current-Max (ID)

    11 A

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    94 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0055 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    140 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    450 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    62.5 W

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NTMFS4709NT3G拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS