ON Semiconductor NTMFS4741NT1G
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NTMFS4741NT1G
1807-NTMFS4741NT1G
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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NTMFS4741NT1G详情
ON Semiconductor NTMFS4741NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
LEAD FREE, CASE 488AA-01, SO-8
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 488AA-01
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NTMFS4741NT1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.39
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
8 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
TIN
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDFM-F6
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0085 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
365 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTMFS4741NT1G拓展信息







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