ON Semiconductor NTMFS4826NET1G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Ta 66A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

870mW Ta 41.7W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.16W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.9m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1850pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

上升时间

39.8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.2 ns

连续放电电流(ID)

66A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.0087Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

符合RoHS标准