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'ntmfs4837n'

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category.单MOSFET晶体管 (5)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	引脚数	供应商器件包装	晶体管元件材料						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	雪崩能量等级（Eas）	辐射硬化	RoHS状态	无铅
		NTMFS4837NT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	8-PowerTDFN, 5 Leads	5		SILICON	10A Ta 74A Tc	4.5V 11.5V	1	880mW Ta 47.2W Tc	19 ns	2.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2009	e3	yes	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)	1 (Unlimited)	6	EAR99	Tin (Sn)	DUAL	FLAT	260	40	R-PDSO-F6	不合格	Single	增强型MOSFET	2.2W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5m Ω @ 30A, 10V	2048pF @ 12V	22nC @ 4.5V	55ns		±20V	10 ns	74A	20V	10A		30V	148A	242 mJ		符合RoHS标准	无铅
		NTMFS4837NT3G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	8-PowerTDFN, 5 Leads	5		SILICON	1	880mW Ta 47.2W Tc	19 ns	10A Ta 74A Tc	4.5V 11.5V	2.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2009	e3	yes	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	1 (Unlimited)	6	EAR99	Tin (Sn)	DUAL	FLAT	260	40	R-PDSO-F6	不合格	Single	增强型MOSFET	2.2W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5m Ω @ 30A, 10V	2048pF @ 12V	22nC @ 4.5V	55ns		±20V	10 ns	74A	20V	10A		30V	148A	242 mJ		符合RoHS标准	无铅
		NTMFS4837NT1G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-PowerTDFN, 5 Leads		5-DFN (5x6) (8-SOFL)		10A Ta 74A Tc	4.5V 11.5V	880mW Ta 47.2W Tc			2.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)				Obsolete	1 (Unlimited)														N-Channel		5mOhm @ 30A, 10V	2.048pF @ 12V	22nC @ 4.5V		30V	±20V										ROHS3 Compliant
		NTMFS4837NHT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		16 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-PowerTDFN, 5 Leads	8		SILICON	10.2A Ta 75A Tc	4.5V 11.5V	1	880mW Ta 48W Tc	28 ns	2.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2009	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	6	EAR99	Tin (Sn)	DUAL	FLAT	260	40	R-PDSO-F6		Single	增强型MOSFET	5.8W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5m Ω @ 30A, 10V	3016pF @ 12V	23.8nC @ 4.5V	19.6ns		±20V	4.7 ns	16A	20V			30V	225A		无	ROHS3 Compliant	无铅
		NTMFS4837NHT3G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	8-PowerTDFN, 5 Leads	8		SILICON	10.2A Ta 75A Tc	4.5V 11.5V	1	880mW Ta 48W Tc	28 ns	2.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2009	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	6	EAR99	Tin (Sn)	DUAL	FLAT	260	40	R-PDSO-F6	不合格	Single	增强型MOSFET	5.8W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5m Ω @ 30A, 10V	3016pF @ 12V	23.8nC @ 4.5V	19.6ns		±20V	4.7 ns	75A	20V	10.2A	0.008Ohm	30V	225A	144 mJ		符合RoHS标准