ON Semiconductor NTMFS4899NFT3G

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-XDSO-F5

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Package Code

488AA

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

NTMFS4899NFT3G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.19

Part Package Code

DFN

Drain Current-Max (ID)

10.4 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-XDSO-F5

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0075 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

84 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

48 W