ON Semiconductor NTMFS4957NT1G
- 收藏
- 对比
NTMFS4957NT1G
1807-NTMFS4957NT1G
无类别的
--
大陆
立即发货

Small Signal Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
NTMFS4957NT1G详情
ON Semiconductor NTMFS4957NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
ITT Cannon
Brand
ITT Cannon
RoHS
Details
Package Description
SO-8FL, DFN5, 6 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NTMFS4957NT1G
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
10.2 A
系列
KPT
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Tin (Sn)
子类别
D-Sub Connectors
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
D-Sub Connectors - Standard Density
最大漏极电流 (Abs) (ID)
70 A
漏极-源极导通最大电阻
0.006 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
43 W
产品类别
D-Sub Standard Connectors
NTMFS4957NT1G拓展信息







哦! 它是空的。