ON Semiconductor NTMFS4C805NT1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件包装

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

770mW (Ta)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1972 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-