ON Semiconductor NTMFS4D8N02HT1G

底架

Flanges

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件包装

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

终端数量

2

RoHS

Non-Compliant

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A (Ta), 75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

3.2W (Ta), 41W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

容差

0.5 %

终端

Axial, Solder

温度系数

100 ppm/°C

电阻

50 mΩ

最高工作温度

250 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Wirewound

额定功率

7.5 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

深度

28.96 mm

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

780 pF @ 12 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.4 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

宽度

16.41 mm

高度

8.13 mm

长度

15.24 mm

直径

8.48 mm