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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥32.660922
10
¥30.812188
100
¥29.068109
500
¥27.422743
1000
¥25.870512
ON Semiconductor NTMFS5C609NLT1G
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NTMFS5C609NLT1G
1807-NTMFS5C609NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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MOSFET N-CH 60V SO8FL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMFS5C609NLT1G详情
ON Semiconductor NTMFS5C609NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
Operating Temperature (Min.)
-55°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
250A
漏极-源极导通最大电阻
0.0023Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
900A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
451 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
167W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NTMFS5C609NLT1G拓展信息
ON Semiconductor
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