ON Semiconductor NTMFS5C612NT1G

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

230

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

488AA

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

NTMFS5C612NT1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

230 A

系列

*

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F5

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

170

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

230 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0016 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

900 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

451 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

170 W

反馈上限-最大值 (Crss)

22 pF