ON Semiconductor NTMS4101PR2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.38W Tj

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-6.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 6.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

450mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3200pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

6.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅