ON Semiconductor NTMS4107NR2

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

30 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

94 ns

Package Description

CASE 751-07, SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 751-07

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTMS4107NR2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.38

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

11 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

15 A

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

16.7 W

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

10 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

18 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0045 Ω

漏源击穿电压

30 V

输入电容

6 nF

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

漏源电阻

4.7 mΩ

无铅

含铅