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'ntms4873nfr2g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

功率耗散

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

DS 击穿电压-最小值

栅源电压

反馈上限-最大值 (Crss)

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTMS4873NFR2G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

YES

8

SILICON

7.1A Ta

4.5V 10V

1

870mW Ta

2.5V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

8

哑光锡

DUAL

鸥翼

未说明

未说明

R-PDSO-G8

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

N-Channel

SWITCHING

12m Ω @ 10A, 10V

1.9pF @ 15V

16nC @ 4.5V

30V

±20V

7.1A

0.012Ohm

30V

225 pF

ROHS3 Compliant

NTMS4873NFR2G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

SILICON

7.1A Ta

4.5V 10V

1

870mW Ta

22.3 ns

2.5V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2009

e3

yes

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

1 (Unlimited)

8

EAR99

Tin (Sn)

DUAL

鸥翼

未说明

未说明

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

1.39W

N-Channel

SWITCHING

12m Ω @ 10A, 10V

1900pF @ 15V

16nC @ 4.5V

3.8ns

±20V

3.8 ns

11.7A

20V

7.1A

0.012Ohm

30V

2.5 V

225 pF

Unknown

符合RoHS标准

无铅