ON Semiconductor NTMS4N01R2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

NTMS4N

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

770mW (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 751-07, SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 751-07

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTMS4N01R2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.4

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

3.3 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

有

端子表面处理

锡铅

附加功能

雪崩 额定

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs（最大值）

±10V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.04 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

100 pF