ON Semiconductor NTMSD6N303R2SG

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

22 ns

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FETKY™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

32m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

34 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.032Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

325 mJ

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅