ON Semiconductor NTND1K5N021ZTAG

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CHIP CARRIER, R-PBCC-N6

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NTND1K5N021ZTAG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.73

Drain Current-Max (ID)

0.2 A

JESD-609代码

e4

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBCC-N6

配置

SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

DS 击穿电压-最小值

23 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.125 W