ON Semiconductor NTNS3C94NZT5G

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

XLLGA-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

3-XLLGA (0.62x0.62)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

12 V

Typical Turn-On Delay Time

7 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

400 mV

Pd - Power Dissipation

120 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 8 V, + 8 V

Unit Weight

0.000092 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8000

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

Qg - Gate Charge

600 pC

Rds On - Drain-Source Resistance

350 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

152 ns

Id - Continuous Drain Current

384 mA

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

384mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

120mW (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

CHIP CARRIER, S-PBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

713AE

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

NTNS3C94NZT5G

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET 12V 480 mo SMALL SIGNAL MOSFET

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

1.56

Drain Current-Max (ID)

0.384 A

系列

NTNS3C94NZ

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PBCC-N3

Brand Name

安森美半导体

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

480mOhm @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

35 pF @ 9.6 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

上升时间

6.3 ns

漏源电压 (Vdss)

12 V

Vgs（最大值）

±8V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

Single N-Channel MOSFET

漏极-源极导通最大电阻

0.48 Ω

DS 击穿电压-最小值

12 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.12 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET