NTNS4C69NT5G
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ON Semiconductor NTNS4C69NT5G

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型号

NTNS4C69NT5G

utmel 编号

1807-NTNS4C69NT5G

商品类别

无类别的

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

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NTNS4C69NT5G详情

ON Semiconductor NTNS4C69NT5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Axial

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage Rated

    75V

  • Lifetime @ Temp.

    --

  • Package Description

    XDFN-3

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NTNS4C69NT5G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.76

  • Drain Current-Max (ID)

    0.76 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.135 Dia x 0.286 L (3.43mm x 7.26mm)

  • 容差

    ±5%

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 类型

    密封

  • 电容量

    0.15µF

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBCC-N3

  • ESR(等效串联电阻)

    --

  • 失败率

    S (0.001%)

  • 引线间距

    --

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 制造商的尺寸代码

    A

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.16 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    Military

  • 座位高度(最大)

    --

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技术文档: ON Semiconductor NTNS4C69NT5G.

NTNS4C69NT5G拓展信息

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