ON Semiconductor NTNUS3171PZT5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-1123

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125mW Ta

Turn Off Delay Time

196 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

-200mW

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13pF @ 15V

上升时间

56ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

145 ns

连续放电电流(ID)

150mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-20V

高度

400μm

长度

850μm

宽度

650μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅