对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 资历状况 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏源击穿电压 | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTP5412NG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-220-3 | 3 | SILICON | 60A Tc | 10V | 1 | 125W Tc | 41 ns | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2008 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | 未说明 | 未说明 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 125W | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 14m Ω @ 30A, 10V | 3220pF @ 25V | 115ns | ±20V | 89 ns | 60A | TO-220AB | 20V | 60V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||
![]() | NTP5412NG | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | TO-220AB | 60A Tc | 10V | 125W Tc | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | N-Channel | 14mOhm @ 30A, 10V | 3.22pF @ 25V | 60V | ±20V | ROHS3 Compliant |



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