ON Semiconductor NTP75N03-06G
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NTP75N03-06G
1807-NTP75N03-06G
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NTP75N03-06G详情
ON Semiconductor NTP75N03-06G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
CTS
Brand
CTS电子元件
RoHS
Details
Package Description
LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 221A-09
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NTP75N03-06G
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.17
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
75 A
系列
581
包装
Reel
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
雪崩 额定
子类别
Oscillators
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
VCTCXO
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0065 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
225 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
1500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
输出格式
HCMOS
最大耗散功率(Abs)
125 W
产品类别
TCXO 振荡器
NTP75N03-06G拓展信息







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