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'ntqd6866'

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category.MOSFETs 晶体管阵列 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料				操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	电压 - 额定直流	最大功率耗散	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	功率 - 最大	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	DS 击穿电压-最小值	场效应管技术	场效应管特性	反馈上限-最大值 (Crss)	RoHS状态	无铅
		NTQD6866R2	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)		8	SILICON	2	40 ns		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED	20V	940mW	鸥翼	240	not_compliant	6.9A	30	8		不合格	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	2W		2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	32m Ω @ 6.9A, 4.5V	1.2V @ 250μA	1400pF @ 16V	22nC @ 4.5V	45ns		90 ns	4.7A	12V		0.032Ohm	20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	175 pF	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTQD6866R2G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	YES		SILICON	4.7A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e3	no	Obsolete	3 (168 Hours)	8		哑光锡	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED			鸥翼	260			40	8	R-PDSO-G8	COMMERCIAL	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		940mW	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	32m Ω @ 6.9A, 4.5V	1.2V @ 250μA	1400pF @ 16V	22nC @ 4.5V		20V				4.7A	0.032Ohm		20V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	175 pF	ROHS3 Compliant
		NTQD6866R2	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	YES		SILICON	4.7A	2		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e0	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		锡铅	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED			鸥翼	240			30	8	R-PDSO-G8	COMMERCIAL	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		940mW	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	32m Ω @ 6.9A, 4.5V	1.2V @ 250μA	1400pF @ 16V	22nC @ 4.5V		20V				4.7A	0.032Ohm		20V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	175 pF	Non-RoHS Compliant
		NTQD6866R2G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	8	SILICON	2	40 ns		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006	e3	yes	Obsolete	3 (168 Hours)	8	EAR99	Tin (Sn)	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED	20V	940mW	鸥翼	260		6.9A	40	8		不合格	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	2W		2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	32m Ω @ 6.9A, 4.5V	1.2V @ 250μA	1400pF @ 16V	22nC @ 4.5V	45ns		90 ns	4.7A	12V		0.032Ohm	20V		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	175 pF	符合RoHS标准	无铅