ON Semiconductor NTR1P02LT1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

NTR1P0

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.3A (Ta)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318-08

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Drain Current-Max (ID)

1.3 A

Part Package Code

SOT-23

Risk Rank

5.13

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

NTR1P02LT1

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

有

端子表面处理

锡铅

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220mOhm @ 750mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.25V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225 pF @ 5 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5 nC @ 4 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236

漏极-源极导通最大电阻

0.22 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-