ON Semiconductor NTR1P02LT1H
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NTR1P02LT1H
1807-NTR1P02LT1H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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1300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN
--最小包装量--
NTR1P02LT1H详情
ON Semiconductor NTR1P02LT1H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
18 ns
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 318-08
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NTR1P02LT1H
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.64
Part Package Code
SOT-23
Drain Current-Max (ID)
1.3 A
系列
*
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
7 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
15 ns
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.3 A
JEDEC-95代码
TO-236
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
辐射硬化
无
NTR1P02LT1H拓展信息
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