ON Semiconductor NTR3162PT3G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

480mW Ta

Turn Off Delay Time

31 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

480mW

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

940pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.3nC @ 4.5V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

2.2A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

20V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅