ON Semiconductor NTR4170NT3G
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NTR4170NT3G
1807-NTR4170NT3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3
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NTR4170NT3G详情
ON Semiconductor NTR4170NT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
480mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
55m Ω @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
432pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.76nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
漏极-源极导通最大电阻
0.055Ohm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTR4170NT3G拓展信息
ON Semiconductor
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