ON Semiconductor NTR4501NT1
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NTR4501NT1
1807-NTR4501NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
--最小包装量--
NTR4501NT1详情
ON Semiconductor NTR4501NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
12 ns
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2007
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn80Pb20)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
1.25W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
3.2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.25W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
12ns
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
JEDEC-95代码
TO-236AB
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10A
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NTR4501NT1拓展信息
ON Semiconductor
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