ON Semiconductor NTR5198NLT3G

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

触点镀层

Tin

表面安装

YES

引脚数

3

质量

1.437803 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

13 ns

Package Description

TO-236, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318-08

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

NTR5198NLT3G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.19

包装

Tape & Reel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

5 ns

无卤素

无卤素

上升时间

7 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.2 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.205 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

漏源电阻

155 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅