对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | Drain Source Voltage (Vdss) | Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | Input Capacitance (Ciss@Vds) | 厂商 | Power Dissipation (Pd) | Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | Total Gate Charge (Qg@Vgs) | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 电压 - 额定直流 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 资历状况 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | Continuous Drain Current (Id) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTS4101PT1G | ON Semiconductor | 数据表 | 7848 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-70, SOT-323 | YES | 3 | SILICON | 26 ns | 1.37A Ta | 2.5V 4.5V | 329mW Ta | 1 | 1.5V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1998 | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 83MOhm | -20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | -1.37A | 40 | Single | 增强型MOSFET | 329mW | 6.2 ns | P-Channel | SWITCHING | 120m Ω @ 1A, 4.5V | 840pF @ 20V | 9nC @ 4.5V | 14.9ns | 20V | ±8V | 14.9 ns | 1.37A | -640mV | 8V | -20V | 85 pF | 900μm | 2.2mm | 1.35mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||
NTS4101PT1 | ON Semiconductor | 数据表 | 30000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SC-70, SOT-323 | YES | 3 | SILICON | 2.5V 4.5V | 1 | 329mW Ta | 26 ns | 1.37A Ta | 1.5V @ 100μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | e0 | no | OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago) | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin/Lead (Sn80Pb20) | -20V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | -1.37A | 未说明 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 329mW | P-Channel | SWITCHING | 120m Ω @ 1A, 4.5V | 840pF @ 20V | 9nC @ 4.5V | 14.9ns | 20V | ±8V | 14.9 ns | 1.37A | 8V | 0.12Ohm | -20V | 85 pF | not_compliant | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||
NTS4101PT1H | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Bulk | 活跃 | onsemi | Non-Compliant | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTS4101PT1G-VB | VBsemi Elec | 数据表 | 48000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | true | 80mΩ@4.5V,1.4A | 20V | Tape & Reel (TR) | 1.5V@250uA | 272pF@10V | 500mW | 44pF@10V | -55℃~+150℃@(Tj) | 1 Piece P-Channel | 3.1A |


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