NTVS3141PT2G
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ON Semiconductor NTVS3141PT2G

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型号

NTVS3141PT2G

utmel 编号

1807-NTVS3141PT2G

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

NTVS3141PT2G datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from ON Semiconductor stock available at utmel

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NTVS3141PT2G
NTVS3141PT2G ON Semiconductor

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NTVS3141PT2G详情

ON Semiconductor NTVS3141PT2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    NTVS3141PT2G

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Part Package Code

    FLIP-CHIP

  • Package Description

    GRID ARRAY, R-PBGA-B6

  • Manufacturer Package Code

    CASE 499BC

  • Risk Rank

    5.84

  • Drain Current-Max (ID)

    2.9 A

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    网格排列

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3.7 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.2 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.5 W

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor NTVS3141PT2G.

NTVS3141PT2G拓展信息

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