ON Semiconductor NTZD3155CT5H

安装类型

表面贴装

包装/外壳

672-BBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

672-FBGA (27x27)

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of I/Os

240

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NTZD3155CT5H

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.65

Drain Current-Max (ID)

0.54 A

操作温度

-40°C ~ 100°C (TJ)

系列

Arria 10 GX

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued at Digi-Key

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

其他晶体管

电压 - 供电

0.87 V ~ 0.98 V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

逻辑元件/单元数

320000

总 RAM 位数

21040128

LABs数量/ CLBs数量

119900

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.54 A

漏极-源极导通最大电阻

0.55 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

反馈上限-最大值 (Crss)

20 pF