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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.763912
10
¥5.437655
100
¥5.129859
500
¥4.839489
1000
¥4.565559
ON Semiconductor NV25010DTHFT3G
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- 对比
NV25010DTHFT3G
1807-NV25010DTHFT3G
存储器
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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IC EEPROM SPI SER 1KB 8TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NV25010DTHFT3G详情
ON Semiconductor NV25010DTHFT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~150°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q100
已出版
2008
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
2.5V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.5V
内存大小
1Kb 128 x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
10MHz
访问时间
40ns
内存格式
EEPROM
内存接口
SPI
组织结构
128X8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
4ms
记忆密度
1024 bit
并行/串行
SERIAL
串行总线类型
SPI
写入周期时间 - 最大值
4ms
长度
4.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
3mm
RoHS状态
符合RoHS标准
NV25010DTHFT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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