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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.070639
10
¥1.95343
100
¥1.842864
500
¥1.738548
1000
¥1.640139
ON Semiconductor NV25080MUW2VTAG
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- 对比
NV25080MUW2VTAG
1807-NV25080MUW2VTAG
存储器
--
大陆
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EEPROM Serial 8-Kb SPI - Automotive Grade 1 ( 125°C), Wettable Flank UDFN Package, 3000-REEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NV25080MUW2VTAG详情
ON Semiconductor NV25080MUW2VTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
Package Description
HUSSON, SOLCC8,.08,20
Package Style
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, ULTRA THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
1000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOLCC8,.08,20
Manufacturer Package Code
517AW
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
80 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NV25080MUW2VTAG
Clock Frequency-Max (fCLK)
10 MHz
Number of Words
1024 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
HUSSON
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
安森美半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
4.76
Usage Level
Automotive grade
无铅代码
有
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PDSO-N8
Brand Name
安森美半导体
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
1.8 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.003 mA
组织结构
1KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
0.55 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000002 A
记忆密度
8192 bit
筛选水平
AEC-Q100
内存IC类型
EEPROM
编程电压
5 V
串行总线类型
SPI
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
100
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
宽度
2 mm
长度
2 mm
NV25080MUW2VTAG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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