ON Semiconductor NV25256MUW3VTBG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-UFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

Memory Types

Non-Volatile

Usage Level

Automotive grade

操作温度

-40°C~125°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q100

已出版

2015

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

IT ALSO OPERATES AT FREQUENCY 5 MHZ AT 1.8 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE

电压 - 供电

1.8V~5.5V

端子位置

DUAL

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

0.5mm

JESD-30代码

R-PDSO-N8

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源电压-最小值(Vsup)

2.5V

内存大小

256Kb 32K x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

10MHz

访问时间

40ns

内存格式

EEPROM

内存接口

SPI

组织结构

32KX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

记忆密度

262144 bit

并行/串行

SERIAL

编程电压

5V

写入周期时间 - 最大值

5ms

长度

3mm

座位高度(最大)

0.55mm

宽度

2mm

RoHS状态

符合RoHS标准